什么是NAND闪存?（NAND闪存芯片 ）
大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于NAND闪存芯片的问题，于是小编就整理了4个相关介绍NAND闪存芯片的解答，让我们一起看看吧【什么是NAND闪存?（NAND闪存芯片 ）】。
文章目录：
一、什么是NAND闪存?
NAND闪存是一种电子存储设备，它使用由nand晶体管组成的存储器单元来存储数据。每个nand晶体管包含两个状态：0和1，这些晶体管可以通过控制它们的门电路来存储或读取数据。NAND闪存通常用于移动设备，如智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等，因为它比传统的机械硬盘更快，更可靠，并且可以支持更高的存储密度
由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考：百度百科-闪存
二、美光发布232层3DNAND闪存,相关固态硬盘明年问世
5月13日消息，美光公司周四发布了业界首个具有232层的3DNAND闪存，该公司计划将其新的232层3DNAND产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在2022年底左右开始量产此类芯片。
美光的232层3DNAND闪存采用3DTLC架构，原始容量为1Tb(128GB)。该芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个3DNAND阵列。
CuA设计加上232层NAND，将大大减少美光1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸，这有望降低生产成本，使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。
美光没有宣布其新的232L3DTLCNANDIC的I/O速度或平面数量，但暗示与现有的3DNAND设备相比，新的内存将提供更高的性能，这对采用PCIe5.0接口的下一代SSD特别有用。
谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁ScottDeBoer指出，该公司已经与内部和第三方NAND控制器(用于固态硬盘和其他基于NAND的存储设备)的开发者密切合作，以实现对新型内存的支持。
在其232层3DTLCNAND的其他优势中，美光还提到与上一代节点相比功耗更低。
考虑到美光将在2022年年底开始生产232层3DTLCNAND设备，预计采用新内存的固态硬盘将在2023年左右到来。
三、DRAM芯片与 NAND芯片有什么区别?
NAND是闪存芯片，掉电后数据不会消失
DRAM用于内存，掉电后数据会丢失，速度快
四、固态硬盘SLC.MLC及TLC三种闪存差别在哪
硬盘，拿来存储数据，存储单元绝对是核心元件。在固态硬盘内部，NAND即闪存颗粒是一种非易失性存储器，即断电后仍能保存数据，被大范围运用。它几乎占据了整个SSD制造成本的70%以上，不夸张地说，选SSD实际是在选择闪存颗粒。
先跟大家梳理一下SLC、MLC及TLC三种闪存差异：
根据闪存颗粒中单元存储密度的差异，闪存又分为SLC、MLC及TLC三种类型，SLC单层式存储，存储密度最低、写入数据时电压变化区间小，寿命最长，稳定性最好，多数应用高端企业级产品。
MLC闪存，多层式存储，双层存储电子结构，存储密度高于SLC，寿命在3000-5000次，应用民用中高端SSD上。而TLC 闪存，也是目前最流行闪存芯片，存储密度是MLC的1.5倍，成本最低，使用寿命也最短，在1000-1500次，稳定性也是三者中最差的。
MLC与TLC差价可以理解，那么同是MLC或TLC 差价那么大?
现在大家看到电商平台上，SSD的售价差异很大，比如同MLC与TLC，差价200-300元，很大部分是闪存决定的售价。但是不同品牌之间的MLC SSD或者是TLC SSD，售价也有差异，当然除了品牌溢价、售后服务质量等方面外，里面的闪存也是有“猫腻”，这就是我们今天所讨论的话题。
这，还要从一片完整的晶圆说起……
如上图，这就是晶圆，一般有6英寸、8英寸及12英寸规格不等，晶片就是基于这个晶圆生产出来的。晶圆上一个小块，一个小块，就是晶片晶圆体，也名Die，经过封装之后就成为一个闪存颗粒。
那晶圆是怎么切割成晶片的呢?
晶圆生产出来之然，首先经过切割，切割成一个一个的晶片Die，然后测试，将完好的，稳定的，足容量的Die取下，封装成为日常所见的NAND Flash闪存芯片。
像切割玻璃块一样，总是会剩下一些边边角角的“角料”，没法使用的。如上图，那被抠走的一部分，就是黑色部分，是合格Die，留下来那些Die，要不是不稳定，要不容量不足，要不部分损坏，要不完全损坏的，原厂考虑到质量保证，会宣布这种die死亡，严格定义为废品全部报废处理。
原片跟黑片的概念已经清晰了
晶圆生产出来后，合格的die被工厂留下继续封装成颗粒，不合格的die单元成为残次品被抛弃不用。 这一留一抛，就是我们所说的“原片”与“黑片”。
到此，以上就是【什么是NAND闪存?（NAND闪存芯片 ）】小编对于NAND闪存芯片的问题就介绍到这了，希望介绍关于NAND闪存芯片的4点解答对大家有用。